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三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
原始标题：消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
内容摘要
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 "T" 代表吞吐量，类似闪迪和 SK 海力士的 HBF 概念，采用 TSV 堆叠 NAND Die 优化读写带宽；zNAND-I 的 "I" 指 IOPS，强调少量数据频繁读写场景，如 KV Cache 卸载。