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Groq 下一代推理芯片拟堆叠 DRAM 突破 SRAM 容量瓶颈
原始标题：Groq plans to stack DRAM in its next inference chip to get around SRAM’s small capacity, industry sources say.
内容摘要
据行业消息，Groq 计划在下一代推理芯片中堆叠 DRAM，以绕开片上 SRAM 容量过小的限制。当前 Groq 3 LPU 的 500MB SRAM 带宽达 150TB/s、约为 Rubin GPU HBM 带宽的 7 倍，但整机架 256 芯片仅 128GB，8-bit 万亿参数模型光权重就需约 2000 颗芯片。
内容分类人工智能行业动态
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信息来源X：Rohan Paul (@rohanpaul_ai)
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