行业动态普通消息称三星电子正为英伟达开发定制 8Hi HBM:17~18Gbps 高速设计信息来源:AI圈报·2026-08-31 15:03NVIDIA内容摘要韩媒报道,三星电子正为英伟达开发定制 HBM 内存,采用 8 层低堆叠设计,支持 17~18Gbps 高引脚速率。此前三星出样的 HBM4E 内存支持至高 16Gbps。低堆叠设计可减少 DRAM Die 用量、提升良率,更高速率则有助于化解 AI 加速器的"内存墙"问题。内容分类人工智能行业动态内容层级普通情报发布时间(北京时间)2026-08-31 15:03本站收录时间(北京时间)2026-08-31 19:15信息来源AI圈报站内情报编号intel-920f43d8796e400a85ed8cf0阅读原始信息 ↗更多行业动态分享文章