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消息称三星晶圆代工考虑扩大 4nm、2nm 产能,应对 HBM Base Die 需求

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韩媒 MONEYTODAY 报道称,三星电子晶圆代工业务正考虑新建 4nm 与 2nm 生产线,以扩大这两个制程节点的制造能力,应对 HBM 内存对先进基础裸片(Base Die)的旺盛需求。三星存储器业务已确认 HBM4 (E) 世代使用 4nm Base Die,HBM5 将升级到 2nm Base Die;此前其晶圆代工已将半数 4nm 产能用于 HBM4 Base Die 生产。
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