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美光 G11 存储芯片:容量翻倍、能效提升
原始标题:Micron’s next memory chip generation, G11, will fit roughly twice as much data on the same patch of silicon as today’s G9, the main route...
内容摘要
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片上可容纳约两倍于当前 G9 的数据,堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上,传输速度最高提升 1.5 倍,每 bit 搬运能耗降低超 25%。该芯片面向 AI 数据中心大量采购的大容量 SSD,预计 2027 年下半年量产,搭载 G11 的硬盘会更晚上市,美光未透露每 GB 成本降幅。
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信息来源X:Rohan Paul (@rohanpaul_ai)
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