论文研究普通SK 海力士披露下一代 HBM 内存先进封装技术,引入英特尔 EMIB信息来源:IT之家(RSS)·2026-08-24 08:54内容摘要SK 海力士在 Hot Chips 2026 大会上披露下一代 HBM 封装路线图,计划借助英特尔 EMIB 等先进封装技术,未来进入 3D 封装阶段。其 HBM4 带宽超 2TB/s,功耗效率较 HBM3E 提升 40% 以上,容量最高 48GB,并正研发混合键合与 I-HBM 局部热点缓解技术以应对散热挑战。内容分类AI 论文与研究内容层级普通情报发布时间(北京时间)2026-08-24 08:54本站收录时间(北京时间)2026-08-24 09:24信息来源IT之家(RSS)站内情报编号intel-50effd24268333f24a745624阅读原始信息 ↗查看数据来源更多论文研究分享文章