行业动态普通杭州镓仁半导体全球首次实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长信息来源:IT之家(RSS)·2026-09-14 15:31原始标题:全球首次:杭州镓仁半导体实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长内容摘要杭州镓仁半导体基于自研 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备,全球首次实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长。等径段越厚,单根晶锭可切出的合格衬底片越多,单片衬底成本越低;12 英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高,可降低下游设备投资和产线切换成本。今年 3 月,该公司已实现全球首次 8 英寸氧化镓同质外延生长。内容分类人工智能行业动态内容层级普通情报发布时间(北京时间)2026-09-14 15:31本站收录时间(北京时间)2026-09-14 16:03信息来源IT之家(RSS)站内情报编号intel-1786f491f08d6372dc43275a阅读原始信息 ↗查看数据来源更多行业动态分享文章