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杭州镓仁半导体全球首次实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长

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原始标题:全球首次:杭州镓仁半导体实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长

内容摘要

杭州镓仁半导体基于自研 SCIENCE 系列 VB 法长晶设备,全球首次实现 12 英寸氧化镓晶体等径生长。等径段越厚,单根晶锭可切出的合格衬底片越多,单片衬底成本越低;12 英寸氧化镓衬底与主流硅产线兼容度高,可降低下游设备投资和产线切换成本。今年 3 月,该公司已实现全球首次 8 英寸氧化镓同质外延生长。
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